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参数目录39796
> SSM6J502NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
型号:
SSM6J502NU,LF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Toshiba
描述:
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SSM6J502NU,LF PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
23.1 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1800pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-uDFN(2x2)
包装
带卷 (TR)
其它名称
SSM6J502NULFTR
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